消息稱，8月1日，璞璘科技自主設計研發的首台PL-SR系列噴墨步進式奈米壓印設備順利通過驗收並交付至國內特色製程客戶。此次設備交付是公司業務拓展和市場滲透的新里程碑，標誌著璞璘科技在高端半導體裝備製造領域邁出堅實的一步。 （圖片來源：璞璘科技） 技術背景 1998年，美國工程院院士、化學放大光刻膠（Chemically Amplified Resist）發明人、光刻膠領域泰斗級學者Grant Wilson教授團隊基於噴墨塗膠工藝，創新地將紫外光固化奈米壓印技術與步進光刻技術相結合，提出了更適用於集成電路製造的步進納米壓印光刻，並創立奈米壓印Inc.公司推動該技術產業化。日本佳能公司與Molecular Imprint Inc.建立策略合作關係後，共同開發半導體用步進奈米壓印技術。 2014年，佳能完成Molecular Imprint Inc.的收購，正式將奈米壓印技術導入高階晶片製造領域。經過近二十年的持續研發與技術積累，佳能於2023年官方宣布實現奈米壓印技術在NAND快閃記憶體製造中的商業化應用，併計劃將該技術逐步拓展至DRAM記憶體和邏輯晶片等更廣泛領域。 由於半導體製造對圖形保真度和套刻精度的極端要求，步進奈米壓印技術必須採用高硬度石英模板，這使得該技術對壓印環境潔淨度、壓印力控制、模板/襯底平整度、壓印製程穩定性以及專用材料體係等方面提出了極為嚴苛的要求。在各類奈米壓印技術中，步進奈米壓印的製程複雜度與技術難度堪稱最高。目前國內尚未有其它相關的噴塗步進奈米壓印設備與產品應用，及成功交付商業客戶的報導。 PL-SR系列 據悉，璞璘科技的首台PL-SR系列噴墨步進式奈米壓印設備攻克了步進硬板的非真空完全貼合、噴膠與薄膠壓印、壓印膠殘餘層控制等關鍵技術難題，可對應線寬＜10nm 的納米壓印光刻工藝，對標定日本佳能的納米壓印製程。該設備配備自主研發的模板面型控制系統、奈米壓印光刻膠噴墨演算法系統、噴墨列印材料匹配，並搭配了自主開發的軟體控制系統。該款設備目前已初步完成儲存晶片、矽基微顯、矽光及先進封裝等晶片研發驗證。     （圖片來源：璞璘科技） 璞璘科技PL-SR系列成功攻克噴墨塗膠製程多項技術瓶頸，在噴塗型奈米壓印光刻材料方面實現重大突破。在半導體級晶片壓印製程中，晶片結構通常為變佔空比、多周期變化的奈米結構。這種複雜的結構設計需對局部膠量精準控制，根據結構變化動態調節壓印膠的噴塗量，從而獲得薄而一致的殘餘層厚度。 PL-SR系列透過創新材料配方與製程調控，提高膠滴密度與鋪展度，成功實現了奈米級的壓印膜厚，平均殘餘層＜10nm，殘餘層變化＜2nm，壓印結構深寬比>7:1的技術指標。發展了匹配噴膠步進壓印製程與後續半導體加工製程的多款奈米壓印膠體系，特別是開發了可溶劑清洗的光固化奈米壓印膠，解決了昂貴石英模板可能被殘留壓印膠污染的潛在風險，為高精度步進奈米壓印提供了可靠材料保障。   （圖片來源：璞璘科技） 此外，璞璘科技PL-SR系列也突破了奈米壓印模板面型控制的技術困難。在高階晶片極小線寬壓印過製程中，壓印模板採用的是硬質的石英模板，因為石英與矽晶圓先天性具有一定的翹曲率，從而在整個奈米壓印過程中要求對模板進行面型控制才能達到完美的貼合狀態。同時，高階晶片極小結構壓印所需奈米壓印膠量極少，大約十奈米級的厚度，更增加了模板和基板貼合的難度。璞璘科技自主研發的奈米壓印模板面型控制技術解決了上述的技術困難。   奈米壓印模板貼合與脫模過程 （圖片來源：璞璘科技） 與光刻製程一樣，在奈米壓印製程完成後下一道工序是刻蝕工藝，從而對壓印的均勻性，穩定性要求極高。尤其對壓印殘餘層的控制要求極高。璞璘科技針對此技術困難，對壓印設備，材料，製程系統的進行最佳化，可實現無殘餘層或近零殘餘層的壓印製程。   （圖片來源：璞璘科技） 在高階半導體製造領域，業界要求對準精度需突破10nm以下，甚至向1nm級逼近。此技術指標的實現，其難度與成本已與國際主流極紫外光刻（EUV）設備處於同一量級。璞璘科技認為，要突破奈米級對準這套"卡脖子"技術，必須整合產業鏈優勢資源。本公司秉持開放創新的合作理念，特別期待與國內在精密對準領域具有技術累積的科學研究院所和企業進行深度合作。透過聯合攻關，共同打造具有國際競爭力的高階步進奈米壓印設備，協助我國在下一代晶片製造裝備領域實現自主可控。 拼版應用 PL-SR是一種通用的重複步進奈米壓印光刻系統，其具有高效、高精度的壓印功能，此外還具備拼接複雜結構的性能。 PL-SR採用高精度的噴墨列印式塗膠方案，同時還可輔助高精度的對準功能，可實現高精度拼接對準精度要求的奈米壓印製程。此外，PL-SR重複步進壓印系統還可滿足模板拼接的需求，最小可實現20mmx20mm的壓印模板均勻的拼接，最終可實現300mm(12in)晶圓級超大面積的模板。   8寸晶圓AR拼版 （圖片來源：璞璘科技）
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